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芯片高低溫老化試驗(yàn)箱

更新時(shí)間:2022-04-08

訪問(wèn)量:1455

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:

簡(jiǎn)要描述:
芯片高低溫老化試驗(yàn)箱,用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能。
品牌豪恩分類(lèi)高低溫試驗(yàn)箱

一、芯片高低溫老化試驗(yàn)箱可程式定義說(shuō)明

可程式是針對(duì)定值試而言的,可程式高低溫試驗(yàn)箱的具體表現(xiàn)為,可對(duì)試驗(yàn)程序進(jìn)行編程,以便在試驗(yàn)的進(jìn)程中,通過(guò)編程的控制,來(lái)對(duì)試驗(yàn)進(jìn)行自動(dòng)化運(yùn)作。

比如:客戶(hù)是做LED背光源的,需要進(jìn)行的試驗(yàn)程序?yàn)椋?0℃高溫條件下進(jìn)行8個(gè)小時(shí)的試驗(yàn),-40℃的低溫環(huán)境下進(jìn)行4個(gè)小時(shí)的試驗(yàn),再進(jìn)行90℃的高溫環(huán)境下進(jìn)行4個(gè)小時(shí)的試驗(yàn),要滿(mǎn)足上述的多項(xiàng)試驗(yàn)要求,而且是在不間斷的情況下進(jìn)行試驗(yàn),就可在試驗(yàn)運(yùn)行開(kāi)始之前,在高低溫試驗(yàn)箱的控制器上進(jìn)行試驗(yàn)程序編程,高低溫試驗(yàn)箱會(huì)根據(jù)試驗(yàn)程序,進(jìn)行精確的試驗(yàn)。

二、芯片高低溫老化試驗(yàn)箱性能:

指氣冷式在室溫20℃,空載時(shí)

規(guī)格型號(hào):HE-WS-80/100/150/225/408/800/1000(A、B、C、D、E)

容量:

80升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):400X500X400mm

150升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):500X600X500mm

225升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):600X750X500mm

408升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):600X850X800mm

800升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):1000X1000X800mm

1000升內(nèi)箱尺寸(寬*高*深):1000X1000X1000mm

溫度范圍:

A表示:0℃~+150℃,B表示:-20℃~+150℃,C表示:-40℃~+150℃,

D表示:-60℃~+150℃,E表示:-70℃~+150℃

溫度精度:±0.01℃

溫度波動(dòng)度:±0.5℃

溫度均勻度:±2.0℃

濕度范圍:20%RH~98%RH

濕度精度:±0.1%R.H

濕度波動(dòng)度:±2.0%R.H.

濕度均勻度:±3%R.H.

升溫速率:平均3℃/min(非線性、空載時(shí);從常溫+25℃升至+85℃約20min);可按要求定制非標(biāo)規(guī)格

降溫速度:平均1℃/min(非線性、空載時(shí);從常溫+25℃降至-40℃約65min);可按要求定制非標(biāo)規(guī)格

三、使用注意事項(xiàng):

1.在操作當(dāng)中,除非有必要,請(qǐng)不要打開(kāi)箱門(mén),否則可能導(dǎo)致不良的后果。

2.請(qǐng)注意本機(jī)必須安全確實(shí)接地,以免產(chǎn)生靜電感應(yīng)。

3.避免于五分鐘內(nèi)關(guān)閉再開(kāi)啟冷凍機(jī)組。

4.如果箱內(nèi)放置發(fā)熱試品時(shí),試品電源控制請(qǐng)使用外加電源,不要直接使用本機(jī)電源。放入高溫試料作低溫試驗(yàn)時(shí)應(yīng)注意:開(kāi)啟箱門(mén)的時(shí)間要盡可能的短。

5.電路斷路器、超溫保護(hù)器,提供本機(jī)測(cè)試品以及操作者的安全保護(hù),故請(qǐng)定期檢查。

6.禁止試驗(yàn)爆炸性,可燃性及高腐蝕性物質(zhì)。

7.照明燈除必要時(shí)打開(kāi)外,其余時(shí)間應(yīng)關(guān)閉。

8.在做低溫前,應(yīng)將工作室擦干,60℃時(shí)烘干1小時(shí)。

9.做高溫試驗(yàn)時(shí),當(dāng)溫度超過(guò)55℃以上的情況下,切忌不可開(kāi)啟冷機(jī)。

10.請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀說(shuō)明書(shū),方可操作本機(jī)。


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